[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110388408.7 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137690B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;王雷;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P阱和沟槽，各P阱通过多沟槽彼此隔离；每个P阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有栅氧化层和多晶硅栅，所述栅氧化层位于多晶硅栅两侧和下方；其中，所述多晶硅栅底部中间位置向多晶硅栅顶部凹陷。本发明还公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管的制造方法。本发明的沟槽型绝缘栅场效应管在提高器件耐压性能，减小器件栅漏电容的同时能降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P阱和沟槽，各P阱通过多沟槽彼此隔离；每个P阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有栅氧化层和多晶硅栅，所述栅氧化层位于多晶硅栅两侧和下方；其特征是：所述多晶硅栅底部中间位置向多晶硅栅顶部凹陷，沟槽侧壁的栅氧化层由第一次生长氧化硅形成，沟槽底部向多晶硅栅顶部凸起部位的栅氧化层由第二次生长氧化硅形成。
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