[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P阱和沟槽，各P阱通过多沟槽彼此隔离；每个P阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有栅氧化层和多晶硅栅，所述栅氧化层位于多晶硅栅两侧和下方；其特征是：所述多晶硅栅底部中间位置向多晶硅栅顶部凹陷。

2.一种沟槽型绝缘栅场效应管的制造方法，其特征是，包括：

(1)在硅衬底上制作P型注入区，P型注入区上方制作N型外延层，刻蚀沟槽，注入形成P阱，生长氧化硅；

(2)淀积氮化硅；

(3)刻蚀去除部分氮化硅；

(4)刻蚀去除部分氧化硅；

(5)再次生长氧化硅，形成栅氧化层；

(6)去除氮化硅；

(7)在沟槽内淀积多晶硅，形成多晶硅栅；

(8)刻蚀，注入形成N型有源区，注入形成P型有源区。