[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110387741.6 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137688B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及到一种沟槽MOS结构半导体装置，并将超结结构引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET的基础结构，本发明还涉及沟槽MOS结构半导体装置的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS结构半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；多个沟槽，位于漂移层和体区中，沟槽侧壁上部表面有绝缘层，沟槽侧壁下部表面没有绝缘层，沟槽底部表面没有绝缘层，同时沟槽内填充有第二传导类型半导体材料，且上部区域为高浓度杂质掺杂栅极材料，下部区域为低浓度杂质掺杂；多个源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和体区；从栅极材料到源区体区之间设置有栅极材料、漂移层材料、体区材料和源区材料形成放电晶体管；漂移层的第一传导类型的半导体材料和沟槽内填充第二传导类型的半导体材料形成超结结构，当器件接反向偏压时，形成电荷补偿。
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