[发明专利]存储设备和写入控制方法

摘要

本发明公开存储设备和写入控制方法，该存储设备设置有多对存储块和写入控制部，其中存储块具有存储信息的存储层并且被构造为具有多个存储元件，该多个存储元件利用存储层的磁化取向随着写入电压的施加而变化来将信息存储在存储层中，并且存储块被构造为能够根据输入信息来向一个存储元件选择性地施加写入电压，该写入控制部将要写入到各个存储元件的信息存储在移位寄存器中，从移位寄存器输出一条信息，确定输出的信息是否写入成功，当写入失败时，再次输出相同的信息，当写入成功时，从移位寄存器输出下一条信息。

主权项

一种存储设备，包括多对存储块和写入控制部，其中，所述存储块具有：利用磁性材料的磁化状态存储信息的存储层以及磁化取向固定的磁化固定层，其中非磁性层介于所述存储层与所述磁化固定层之间，并且所述存储块被构造为具有多个存储元件，所述多个存储元件利用所述存储层的磁化取向随着用于使在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动有写入电流的写入电压的施加而变化来将所述信息存储在所述存储层中，并且所述存储块被构造为能够向所述多个存储元件中的一个存储元件选择性地施加对应于输入信息的所述写入电压，以及所述写入控制部将要写入到所述存储块的各个所述存储元件中的信息存储在移位寄存器中；从所述移位寄存器向所述存储块输出一条信息；确定输出的所述信息是否成功写入；以及在确定写入失败的情况下，对所述存储块再次输出相同的信息，并且在确定写入成功的情况下，增加用于选择所述存储块中处于能够写入状态下的存储元件的地址值，并从所述移位寄存器向所述存储块输出下一条信息。