[发明专利]存储设备和写入控制方法无效

专利信息
申请号: 201110386994.1 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102543156A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 存储 设备 写入 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种存储设备,包括多对存储块和写入控制部,

其中,所述存储块具有:利用磁性材料的磁化状态存储信息的存储层以及磁化取向固定的磁化固定层,其中非磁性层介于所述存储层与所述磁化固定层之间,并且所述存储块被构造为具有多个存储元件,所述多个存储元件利用所述存储层的磁化取向随着用于使在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动有写入电流的写入电压的施加而变化来将所述信息存储在所述存储层中,并且所述存储块被构造为能够向所述多个存储元件中的一个存储元件选择性地施加对应于输入信息的所述写入电压,以及

所述写入控制部将要写入到所述存储块的各个所述存储元件中的信息存储在移位寄存器中;从所述移位寄存器向所述存储块输出一条信息;确定输出的所述信息是否成功写入;以及在确定写入失败的情况下,对所述存储块再次输出相同的信息,并且在确定写入成功的情况下,增加用于选择所述存储块中处于能够写入状态下的存储元件的地址值,并从所述移位寄存器向所述存储块输出下一条信息。

2.根据权利要求1所述的存储设备,进一步包括:

传送控制部,其分别向各个所述写入控制部施加要写入到与各个所述写入控制部成对的所述存储块中的各个存储元件中的信息;

以及

地址控制部,其在开始写入时向各个所述写入控制部指示写入的头地址。

3.一种存储设备的写入控制方法,所述存储设备包括多个存储块,所述存储块具有:利用磁性材料的磁化状态存储信息的存储层以及磁化取向固定的磁化固定层,其中非磁性层介于所述存储层与所述磁化固定层之间,并且所述存储块被构造为具有多个存储元件,所述多个存储元件利用所述存储层的磁化取向随着用于使在所述存储层和所述磁化固定层的层叠方向上流动有写入电流的写入电压的施加而变化来将所述信息存储在所述存储层中,并且所述存储块被构造为能够向所述多个存储元件中的一个存储元件选择性地施加对应于输入信息的所述写入电压,所述方法包括:

将要写入到所述存储块的各个所述存储元件中的信息存储在移位寄存器中;

从所述移位寄存器向所述存储块输出一条信息;

确定输出的所述信息是否成功写入,以及

在确定写入失败的情况下,对所述存储块再次输出相同的信息,在确定写入成功的情况下,增加用于选择所述存储块中处于能够写入状态下的存储元件的地址值,并从所述移位寄存器向所述存储块输出下一条信息。

4.根据权利要求3所述的存储设备的写入控制方法,还包括:分别向与所述存储块成对的各个写入控制部施加要写入到所述存储块中的各个存储元件中的信息;以及

在开始写入时向各个所述写入控制部指示写入的头地址。

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