[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。根据实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括提供掩模层，当形成掺杂区域时该掩模层用作注入掩模并且当形成开口以及开口中形成的接触元件时该掩模层用作刻蚀掩模。接触元件与掺杂区域接触。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面的半导体衬底；在所述半导体衬底的所述第一表面上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成具有第一开口的掩模层，所述掩模层的第一开口限定了所述半导体衬底中的第一掺杂区域的位置；使用所述掩模层作为注入掩模执行第一注入步骤以在所述半导体衬底中形成所述第一掺杂区域；通过使用所述掩模层作为刻蚀掩模在所述第一绝缘层中形成第一开口，相对于所述掩模层有选择地刻蚀所述第一绝缘层以使所述第一掺杂区域的部分暴露；在所述掩模层上形成第二绝缘层以覆盖所述掩模层中的第一开口，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料能够相对于所述掩模层的材料被有选择地刻蚀；在所述第二绝缘层上形成刻蚀掩模，以至少限定所述掩模层的第一开口上方的所述第二绝缘层中的第一开口；相对于所述刻蚀掩模和所述掩模层有选择地刻蚀所述第二绝缘层以在所述第二绝缘层中形成第一开口，所述第二绝缘层的第一开口使所述掩模层中的第一开口暴露；以及淀积传导材料以形成至少一个接触元件，其设置在所述第一绝缘层中形成的第一开口、所述第二绝缘层中形成的第一开口以及所述掩模层中形成的第一开口中，所述接触元件与所述第一掺杂区域和所述掩模层接触。