[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

这里描述的实施例涉及半导体器件，并且更具体地，涉及具有相对于与掺杂区域电接触的接触元件对准的掺杂区域的半导体器件及其制造方法。

背景技术

诸如双极型晶体管的半导体器件用于许多应用。双极型晶体管常常因工艺变化而具有不足的发射极效率。例如，发射极接触部和发射极之间的横向失准导致了横向发射极宽度的减小，这可能导致发射极接触处的增加的复合速率。发射极接触部与发射极边缘越近，则复合速率越高。高复合速率还使发射极效率劣化并且减小双极型晶体管的增益。此外，其他晶体管参数也可能变化。典型地，在用于补偿这些效应的尝试中需要费力的设计规则，例如借助增加所使用的芯片面积，这还增加了生产成本。

发明内容

根据一个实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：提供包括第一表面的半导体衬底；在半导体衬底的第一表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成具有第一开口的掩模层，掩模层的第一开口限定了第一掺杂区域的位置；使用掩模层作为注入掩模执行第一注入步骤以在半导体衬底中形成第一掺杂区域；通过使用掩模层作为刻蚀掩模在第一绝缘层中形成第一开口，相对于掩模层有选择地刻蚀第一绝缘层以使第一掺杂区域的部分暴露；在掩模层上形成第二绝缘层以覆盖掩模层中的第一开口，第一和第二绝缘层的材料可相对于掩模层的材料被有选择地刻蚀；在第二绝缘层上形成刻蚀掩模，以至少限定掩模层的第一开口上方的第二绝缘层中的第一开口；相对于刻蚀掩模和掩模层有选择地刻蚀第二绝缘层以在第二绝缘层中形成第一开口，第二绝缘层的第一开口使掩模层中的第一开口暴露；以及淀积传导材料以形成至少一个接触元件，其设置在第一绝缘层中形成的第一开口、第二绝缘层中形成的第一开口以及掩模层中形成的第一开口中，接触元件与第一掺杂区域和掩模层接触。

根据一个实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有第一表面和第一掺杂区域的半导体衬底。具有第一开口的第一绝缘层设置在半导体衬底的第一表面上，第一开口被布置在第一掺杂区域上方。第一绝缘层上的掩模层包括第一开口。第一绝缘层中的第一开口和掩模层中的第一开口相对于第一掺杂区域横向居中。掩模层上的第二绝缘层包括掩模层的第一开口上方的第一开口。至少第一接触元件布置在第二绝缘层的第一开口、掩模层的第一开口和第一绝缘层的第一开口中。第一接触元件使第一掺杂区域与掩模层电连接。

根据一个实施例，提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体衬底，其具有第一表面、第一掺杂区域和与第一掺杂区域横向分隔的第二掺杂区域、半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层、以及至少具有第一绝缘层上的第一开口和与第一开口隔开的第二开口的传导掩模层，传导掩模层的第一开口布置在第一掺杂区域上方并且传导掩模层的第二开口布置在第二掺杂区域上方；在传导掩模层上形成第二绝缘层以覆盖传导掩模层中的第一和第二开口，第一和第二绝缘层的材料可相对于传导掩模层的材料被有选择地刻蚀；在第二绝缘层上形成刻蚀掩模，以限定第二绝缘层的第一开口和第二开口；相对于刻蚀掩模和传导掩模层有选择地刻蚀第二绝缘层以形成第二绝缘层的第一开口和第二开口，第二绝缘层的第一开口使传导掩模层中的第一开口暴露，第二绝缘层的第二开口使传导掩模层中的第二开口暴露；使用传导掩模层作为刻蚀掩模刻蚀第一绝缘层以在第一绝缘层中形成第一和第二开口，从而至少使第一和第二掺杂区域的相应部分暴露；以及淀积传导材料以形成第一接触元件和第二接触元件，第一接触元件设置在第一绝缘层中形成的第一开口、第二绝缘层中形成的第一开口以及传导掩模层中形成的第一开口中，第二接触元件设置在第一绝缘层中形成的第二开口、第二绝缘层中形成的第二开口和传导掩模层中形成的第二开口中，第一接触元件与第一掺杂区域和传导掩模层电接触，并且第二接触元件与第二掺杂区域和传导掩模层电接触。