[发明专利]钛锆氧化物固溶体纳米线阵列紫外光探测器及其制备方法无效
申请号: | 201110386056.1 | 申请日: | 2011-11-29 |
公开(公告)号: | CN102437229A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 阮圣平;张敏;张海峰;刘彩霞;冯彩慧;周敬然;陈维友 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明具体涉及一种以透明导电玻璃为衬底,以ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列为基体,以Ag或Au为金属电极的肖特基结构光伏型半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用低温极性界面水解法制备不同配比的ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列,以Ag浆或者Au浆在纳米线阵列上制作电极,经过烘干后即可得到工艺简单、低成本、高性能的肖特基结构紫外探测器。通过调整ZrxTi1-xO2固溶体内部元素的不同配比,可以改变基体材料的紫外吸收边,进而制作出响应峰值在250nm到380nm紫外波段范围内可调的紫外探测器。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 固溶体 纳米 阵列 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种ZrxTi1‑xO2固溶体纳米线阵列紫外光探测器,其特征在于:依次由透明导电玻璃衬底(4)、采用低温极性界面水解法在衬底(4)上直接生长的一维ZrxTi1‑xO2纳米线阵列(2)、在纳米线阵列(2)上直接制备的Ag或Au金属电极(1)构成,待探测的紫外光(3)从透明导电玻璃衬底(4)的一侧入射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的