[发明专利]钛锆氧化物固溶体纳米线阵列紫外光探测器及其制备方法无效
申请号: | 201110386056.1 | 申请日: | 2011-11-29 |
公开(公告)号: | CN102437229A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 阮圣平;张敏;张海峰;刘彩霞;冯彩慧;周敬然;陈维友 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 固溶体 纳米 阵列 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列紫外光探测器,其特征在于:依次由透明导电玻璃衬底(4)、采用低温极性界面水解法在衬底(4)上直接生长的一维ZrxTi1-xO2纳米线阵列(2)、在纳米线阵列(2)上直接制备的Ag或Au金属电极(1)构成,待探测的紫外光(3)从透明导电玻璃衬底(4)的一侧入射。
2.如权利要求1所述的ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列紫外光探测器,其特征在于:透明导电玻璃衬底(4)的厚度为2~3mm,一维ZrxTi1-xO2纳米线阵列(2)的厚度为1~3μm,一维ZrxTi1-xO2纳米线材料中Zr与Ti的摩尔比为0.01~1∶1;金属电极(1)的有效面积为1~5mm2,厚度为500~1000μm。
3.如权利要求1或2所述的ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列紫外光探测器的制备方法,其步骤如下:
(1)衬底的处理
首先分别用丙酮、乙醇棉球擦拭透明导电玻璃衬底,再将衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中,分别超声清洗5~8分钟,最后用氮气吹干;
(2)一维ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列的制备
采用低温极性界面水解法制备一维ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列;
(3)制备Ag或Au金属电极
将Ag浆或Au浆直接粘到一维ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列表面,引出电极引线,然后将器件至于烘箱中,在100~150℃烘干5~15分钟,即得到带有金属电极的肖特基结构的ZrxTi1-xO2纳米线阵列紫外光探测器。
4.如权利要求3所述的ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列紫外光探测器的制备方法中,其特征在于:步骤(2)所述的采用低温极性界面水解法制备一维ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列,是在室温条件下将5~20ml甲苯加入到20~40ml的聚四氟乙烯反应釜中,将1~2ml锆酸四丁酯和钛酸四丁酯的混合溶液加入到甲苯溶剂中,其中Zr与Ti的摩尔比为0.01∶1~1∶1,然后用注射器加入0.1~0.5ml的四氯化钛,接着加入1~2ml浓盐酸或醋酸水溶液,将经上述步骤处理过的透明导电玻璃衬底倒置在反应釜中,最后将反应釜置于120~200℃的反应室中密封2~8小时,从而在透明导电衬底上低温生长出ZrxTi1-xO2纳米线阵列;反应釜自然降温3~5小时,得到结晶良好、平整、紧密的一维ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列,将已生长好的纳米线阵列从反应釜中取出,静置干燥后放入干燥塔中保存。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110386056.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大功率金属锂电池用负电极
- 下一篇:功率MOSFET器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的