[发明专利]分散式镜像高功率管芯无效

专利信息
申请号: 201110385749.9 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102522378A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 张斌;余旭明;陈堂胜;任春江;黄念宁 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L27/02;H03F1/02
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种分散式镜像高功率管芯,所述管芯包括基板、HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔,所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔均设置在基板上,且所述的HEMT晶胞1a、1b、1c、1d的源极通过源条接地散热通孔接地,所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d在基板上均匀分布,且采用源条接地通孔将HEMT晶胞进一步分散隔离。本发明通过源条接地散热通孔实现HEMT晶胞源极良好接地,实现良好的电性能;在散热性能上一方面通过把源条接地散热通孔置于管芯中间,在水平方向上把管芯进行均匀分隔;同时利用功率分配/合成网络的尺寸在纵向把管芯进行均匀分隔,从而实现把所有的发热源均匀分布,避免了局部热斑,大大改善了管芯的散热均匀性,确保器件高功率下的稳定性。
搜索关键词: 分散 式镜像高 功率 管芯
【主权项】:
一种分散式镜像高功率管芯,其特征在于:所述管芯包括基板、HEMT晶胞(1a、1b、1c、1d)、功率分配网络(2)、功率合成网络(3)及源条接地散热通孔(4),所述HEMT晶胞(1a、1b、1c、1d)、功率分配网络(2)、功率合成网络(3)及源条接地散热通孔(4)均设置在基板上,且所述的HEMT晶胞(1a、1b、1c、1d)的源极通过源条接地散热通孔(4)接地,所述HEMT晶胞(1a、1b、1c、1d)在基板上均匀分布,且采用源条接地通孔(4)将HEMT晶胞进一步分散隔离。
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