[发明专利]培育金线兰抗逆组培苗的方法无效
| 申请号： | 201110379708.9 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102511388A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 龚宁;李光;李亚军 | 申请（专利权）人： | 贵州师范大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550001 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种培育金线兰抗逆组培苗的方法，包括以下步骤：A1、初代培养；A2、增殖培养；A3、生根培养+抗逆诱导：在超净工作台上，将无根苗从培养瓶中取出，采取直立插入的方式接种于生根培养基：1/2MS+NAA3mg/L+蔗糖20g/L，培养基中还加有自制诱抗剂：ABA1.3mg/L+SA2.5mg/L+CTS30mg/L；培养于光照12小时/天，光强1500lx-2000lx，温度23±2℃的条件，60天，生根可达2-3条/株；A4、炼苗移栽。本发明将快速繁殖与苗的抗逆性结合起来考虑，提供一种培育金线兰抗逆组培苗的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 培育 金线兰抗逆组培苗 方法 | ||
【主权项】：
一种培育金线兰抗逆组培苗的方法，其特征在于，包括以下步骤：A1、初代培养：采取茎段直立插入的方式接种于MS+BA1.5mg/L+KT0.5mg/L+NAA1.5mg/L+蔗糖30g/L+(0.5‑0.6)mg/L硫脲+(0.5‑0.6)mg/L Vc的培养基；置于光照12小时/天，光强1500lx‑2000lx，温度23±2℃的条件下培养，培养60天可得到无菌芽；A2、增殖培养：用解剖刀将无菌芽切下，采取直立插入的方式接种于MS+BA3.0mg/L+KT3.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖30g/L的培养基，培养于光照12小时/天，光强1500lx‑2000lx，温度23±2℃的条件；在继代三代后应调整培养基配方为：MS+6‑BA3.0mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L；A3、生根培养+抗逆诱导：在超净工作台上，将无根苗从培养瓶中取出，采取直立插入的方式接种于生根培养基：1/2MS+NAA3mg/L+蔗糖20g/L，培养基中还加有自制诱抗剂：ABA1.3mg/L+SA2.5mg/L+CTS30mg/L；培养于光照12小时/天，光强1500lx‑2000lx，温度23±2℃的条件，60天，生根可达2‑3条/株；A4、炼苗移栽；用松针土作为移栽基质。
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