[发明专利]一种氮化物发光二极管结构有效
| 申请号： | 201110377942.8 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102437262A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益;王立;蒲勇;张萌;方文卿 | 申请（专利权）人： | 南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/12 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层和p型层，其特征在于：n型层由从下向上依次叠加的n-GaN、n型层内量子阱层和AlxInyGa(1-x-y)N:Si电子注入层构成，p型层由从下向上依次叠加的p型层内发光阱层和p-AlxInyGa(1-x-y)N构成；在n型层和p型层之间设有主发光阱层；n型层内量子阱层的禁带宽度大于或等于主发光阱层的禁带宽度，p型层内发光阱层的禁带宽度等于或接近主发光阱层的禁带宽度。n型层内量子阱层和p型层内量子阱层具有减缓主发光阱层应力、减缓能带弯曲的作用，同时p型层内发光阱层还能使从主发光阱层溢出的电子在其内复合发光，从而提高内量子效率，达到大幅降低发光二极管的制造成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底 上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层和p型层，其特征在于：所述n型层由从下向上依次叠加的n‑GaN 、n型层内量子阱层和AlxInyGa(1‑x‑y)N:Si电子注入层构成，其中0≤x≤1, 0≤y≤1，Si掺杂浓度为1×1018─1×1019 cm‑3，所述p型层由从下向上依次叠加的p型层内发光阱层和 p‑AlxInyGa(1‑x‑y)N构成，其中0≤x≤1, 0≤y≤1；在n型层和p型层之间设有主发光阱层。
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