[发明专利]一种氮化物发光二极管结构

权利要求书

1.一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底 上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层和p型层，其特征在于：所述n型层由从下向上依次叠加的n-GaN 、n型层内量子阱层和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N:Si电子注入层构成，其中0≤x≤1, 0≤y≤1，Si掺杂浓度为1×10¹⁸─1×10¹⁹ cm^-3，所述p型层由从下向上依次叠加的p型层内发光阱层和 p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N构成，其中0≤x≤1, 0≤y≤1；在n型层和p型层之间设有主发光阱层。

2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述n型层内量子阱层是由从下向上依次叠加的In_xGa_(1-x)N量子阱和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N势垒组成的周期结构，周期数为k,其中0≤x≤1, 0≤y≤1, 1≤k≤20。

3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述p型层内发光阱层是由从下向上依次叠加的p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N空穴注入层、第一Al_xIn_yGa_(1-x-y)N杂质扩散阻挡层、In_xGa_(1-x)N量子阱和第二Al_xIn_yGa_(1-x-y)N杂质扩散阻挡层组成的周期结构，周期数为m, 其中0≤x≤1, 0≤y≤1, 1≤m≤10，p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N空穴注入层内掺Mg浓度为1×10¹⁹─2×10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1或2或3所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述主发光阱层由In_xGa_(1-x)N量子阱和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N势垒组成的周期结构，周期数为n,其中0≤x≤1, 0≤y≤1, 1≤n≤20。

5.根据权利要求4所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：在n型层内量子阱层中，In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量小于或等于主发光阱层中的In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量。

6.根据权利要求4所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：在p型层内发光阱层中，In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量与主发光阱层中的In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量相等或相差±10%以内。

7.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：n型层内量子阱层的禁带宽度大于或等于主发光阱层的禁带宽度，p型层内发光阱层的禁带宽度等于或接近主发光阱层的禁带宽度。

8. 根据权利要求1所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于：所述衬底为Al₂O₃、SiC、Si或GaN或其它能够生长GaN单晶的材料中的一种。