[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110377035.3 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN103137686A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的鳍片式半导体器件，包括：在衬底上形成的鳍片，所述鳍片具有由半导体材料形成的半导体层；以及在衬底上形成的围绕所述鳍片的绝缘材料层，所述绝缘材料层的厚度小于所述半导体层的高度；其中，所述半导体层具有：源区部分和漏区部分；在源区部分和漏区部分之间的第一区域、第二区域和第三区域，并且所述第二区域和所述第三区域分别用作对所述沟道区进行控制的第一沟道控制区和第二沟道控制区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片式半导体器件，包括：在衬底上形成的鳍片，所述鳍片具有由半导体材料形成的半导体层；以及在衬底上形成的围绕所述鳍片的绝缘材料层，所述绝缘材料层的厚度小于所述半导体层的高度；其中，所述半导体层具有：源区部分和漏区部分；在源区部分和漏区部分之间的第一区域、第二区域和第三区域，并且所述第一区域至少形成在所述鳍片的未被所述绝缘材料层覆盖的部分中的半导体层的露出表面中；所述第二区域为所述半导体层在所述源区部分和漏区部分之间的部分中除所述第一区域以外的部分，所述第二区域具有第一导电类型；所述第三区域至少形成在所述第一区域的露出的表面中，并具有第一导电类型，而所述第一区域中除所述第三区域以外的部分被形成为沟道区；所述沟道区与所述源区部分和漏区部分邻接，且所述沟道区与所述源区部分和漏区部分具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述沟道区将所述第二区域与所述第三区域分隔开，并且所述第二区域和所述第三区域分别用作对所述沟道区进行控制的第一沟道控制区和第二沟道控制区。
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