[发明专利]一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110376788.2 申请日: 2011-11-23
公开(公告)号: CN102515871A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 张永辉;肖志超;苏君明;彭志刚;侯卫权;马昆松;曹厚华;赵俊 申请(专利权)人: 西安超码科技有限公司
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法,该方法为:一、将炭/炭加热器置于CVD炉内,通入碳源气体,在炭/炭加热器表面生成一层热解炭涂层;二、将装有固体硅料的石墨坩埚置于反应炉内,将表面生成热解炭涂层的炭/炭加热器置于石墨坩埚内的多孔石墨支架上,在温度为1500℃~1800℃,真空度为100Pa~3000Pa的条件下保温1h~4h,利用硅蒸气和热解炭反应生成一层SiC涂层。本发明的方法首先在炭/炭加热器表面沉积一层热解炭涂层,然后原位生成SiC涂层,保证加热器具有满足使用要求的电阻性能,同时防止SiCl4、HCl等气体对加热器的腐蚀,提高抗冲刷能力,延长使用寿命。
搜索关键词: 一种 加热器 冲刷 sic 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将炭/炭加热器置于CVD炉内,在温度为800℃~1200℃,氮气或氩气为保护气体的条件下,向CVD炉内通入碳源气体10h~50h,在炭/炭加热器表面生成一层热解炭涂层;步骤二、将装有固体硅料的石墨坩埚置于反应炉内,将步骤一中表面生成热解炭涂层的炭/炭加热器置于石墨坩埚内的多孔石墨支架上,在温度为1500℃~1800℃,真空度为100Pa~3000Pa的条件下,保温1h~4h,利用硅蒸气和炭/炭加热器表面的热解炭反应生成一层SiC涂层,得到炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层。
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