[发明专利]一种液相自组装法制备（105）取向生长Sm2S3薄膜的方法

摘要

一种液相自组装法制备(105)取向生长Sm2S3薄膜的方法，将SmCl3·6H2O加入去离子水搅拌均匀后加入柠檬酸、硫代硫酸钠，再用氨水调节pH值为2.0-6.0得前驱液D；将羟基化的硅基板置于OTS中浸泡后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干；将干燥的羟基化的硅基板放在紫外线照射仪中光激发下得到功能化后的硅基板；再将功能化后的硅基板置于前驱液D中真空干燥得得Sm2S3纳米薄膜。由于本发明采用液相自组装方法，制得的Sm2S3纳米薄膜，均匀，致密，低缺陷，强度高，并且通过控制前驱液浓度、pH值以及沉积时间可以控制薄膜厚度和晶粒大小。

主权项

一种液相自组装法制备(105)取向生长Sm2S3薄膜的方法，其特征在于：1)取0.3‑1.5g的分析纯的SmCl3·6H2O置于烧杯中，向烧杯中加入10‑50mL的去离子水搅拌均匀得溶液A；2)向溶液A中加入0.01‑1.00g的柠檬酸，常温下磁力搅拌均匀得溶液B；3)向溶液B中加入0.01‑10.00g分析纯的硫代硫酸钠(Na2S2O3)搅拌均匀得溶液C；4)用氨水调节溶液C的pH值为2.0‑6.0得前驱液D；5)将羟基化的硅基板置于体积浓度为1～2％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室温下浸泡10～40min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛中，于100～120℃干燥；6)将干燥的OTS硅基板放在紫外线照射仪中，紫外光辐射波波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～4cm的情况下，照射5～60min，使OTS头基的烷基在紫外光的光激发下进行羟基化转变，得到OTS功能化后的基板；7)将功能化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在40～90℃下沉积1‑50h制备Sm2S3薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中50～90℃干燥5～20min得Sm2S3纳米薄膜。