[发明专利]一种液相自组装法制备（105）取向生长Sm2S3薄膜的方法

权利要求书

1.一种液相自组装法制备(105)取向生长Sm₂S₃薄膜的方法，其特征在于：

1)取0.3-1.5g的分析纯的SmCl₃·6H₂O置于烧杯中，向烧杯中加入10-50mL的去离子水搅拌均匀得溶液A；

2)向溶液A中加入0.01-1.00g的柠檬酸，常温下磁力搅拌均匀得溶液B；

3)向溶液B中加入0.01-10.00g分析纯的硫代硫酸钠(Na₂S₂O₃)搅拌均匀得溶液C；

4)用氨水调节溶液C的pH值为2.0-6.0得前驱液D；

5)将羟基化的硅基板置于体积浓度为1～2％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室温下浸泡10～40min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛中，于100～120℃干燥；

6)将干燥的OTS硅基板放在紫外线照射仪中，紫外光辐射波波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～4cm的情况下，照射5～60min，使OTS头基的烷基在紫外光的光激发下进行羟基化转变，得到OTS功能化后的基板；

7)将功能化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在40～90℃下沉积1-50h制备Sm₂S₃薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中50～90℃干燥5～20min得Sm₂S₃纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的液相自组装法制备(105)取向生长Sm₂S₃薄膜的方法，其特征在于：所述的羟基化的硅基板是将硅基板浸泡在王水中，使用超声波震荡30min～3h后在室温中自然冷却，然后再用去离子水反复清洗，用N₂吹干，然后在紫外线照射仪中，照射20～80min得羟基化的硅基板。