[发明专利]一种沟槽型功率MOS器件及其制造工艺方法无效
| 申请号： | 201110374946.0 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137450A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 邵向荣;张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOS器件的制造工艺方法，其包括如下步骤：步骤1，在生长完栅氧的沟槽内沉积一层多晶硅，多晶硅厚度应确保沟槽内有足够空隙以便后续步骤2顺利填入金属钨的硅化物；步骤2，在全硅片上沉积一层金属钨的硅化物以填满沟槽内空隙；步骤3，通过干法刻蚀将金属钨的硅化物以及多晶硅回刻至表面栅氧；步骤4，进行包括体区注入、推进，源区注入、推进，层间电介质淀积，刻蚀接触孔以及接触孔注入，顶层金属沉积步骤的后续工艺。此外本发明还公开一种沟槽型功率MOS器件。本发明在现有沟槽型功率MOS工艺的基础上，通过在栅极上生长一层金属钨的硅化物(WSix)，得到较原有工艺得到更低的栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 mos 器件 及其 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率MOS器件的制造工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，在生长完栅氧的沟槽内沉积一层多晶硅，多晶硅厚度应确保沟槽内有足够空隙以便后续步骤2顺利填入金属钨的硅化物；步骤2，在全硅片上沉积一层金属钨的硅化物以填满沟槽内空隙；步骤3，通过干法刻蚀将金属钨的硅化物以及多晶硅回刻至表面栅氧；步骤4，进行包括体区注入、推进，源区注入、推进，层间电介质淀积，刻蚀接触孔以及接触孔注入，顶层金属沉积步骤的后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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