[发明专利]适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构

摘要

本发明涉及一种适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构，其包括：一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元，一个编程选择控制管，一个编程隔离管，一个控制FPGA布线通道的开关管。该配置单元在反熔丝编程阶段电源接编程高压VPP，当FPGA完成配置后电源接标准电压VDD。反熔丝存储单元一端即栅极接编程选择控制管，另一端即有源区接地，反熔丝数据输出连接编程隔离管，编程隔离管下一级为FPGA布线通道开关管，实现对FPGA电路布局布线的控制。本发明优点是：采用四管栅氧击穿反熔丝配置单元结构，可以在普通的CMOS工艺线上实现FPGA的反熔丝配置单元功能，具有电路密度高、低功耗、非易失性编程和高可靠性、高寿命的特点。

主权项

适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构，其特征是：包括一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元（FUSE）、一个编程选择控制管（M1）、一个保护内部逻辑与编程高压隔离的编程隔离管（M2），和一个控制FPGA布线通道的开关管（M3）；所述基于栅氧击穿反熔丝存储单元（FUSE）栅极连接编程选择控制管（M1）漏极和编程隔离管（M2）源极，基于栅氧击穿反熔丝存储单元（FUSE）的有源区接地；编程选择控制管（M1）栅极由外部配置信号控制，编程选择控制管（M1）源极与衬底接电源电压；编程隔离管（M2）栅极由外部控制信号控制开启与否，编程隔离管（M2）衬底接电源，编程隔离管（M2）漏极连接控制FPGA布线通道的开关管（M3）栅极，控制FPGA布线通道的开关管（M3）源极与漏极连接在外部信号通道中，控制FPGA布线通道的开关管（M3）衬底接地。