[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110373628.2 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479899A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;宫崎敦嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供显示出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：其表面上具有凹凸的蓝宝石衬底；以及在蓝宝石衬底的凹凸表面上经由缓冲层依次堆叠的n-型层、发光层和p-型层，并且其各自均由第III族氮化物半导体形成。凹凸具有如下结构：包括形成于蓝宝石衬底的表面上并且其条纹方向对应于x-轴方向的第一条纹图案凹凸；以及形成于第一条纹图案凹凸顶上和其条纹方向对应于y-轴方向的第二条纹图案凹凸，y-轴方向与x-轴方向正交。与常规第III族氮化物半导体发光器件相比，包括具有上述凹凸的衬底的第III族氮化物半导体发光器件显示出改善的光提取性能。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：蓝宝石衬底、以及提供于所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的层状结构，其中所述蓝宝石衬底在层状结构侧上的表面上具有凹凸；并且所述凹凸具有如下结构：其中在垂直于所述蓝宝石衬底的所述主表面的任何横截面中提供在水平上的一个以上差异、以及在垂直于所述蓝宝石衬底的所述主表面的特定的横截面中提供在水平上的两个以上差异。
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