[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：蓝宝石衬底、以及提供于所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的层状结构，其中所述蓝宝石衬底在层状结构侧上的表面上具有凹凸；并且所述凹凸具有如下结构：其中在垂直于所述蓝宝石衬底的所述主表面的任何横截面中提供在水平上的一个以上差异、以及在垂直于所述蓝宝石衬底的所述主表面的特定的横截面中提供在水平上的两个以上差异。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述凹凸具有如下结构，所述结构包括：形成于所述蓝宝石衬底的层状结构侧上的表面上的第一条纹图案凹凸，所述第一条纹图案凹凸包括从上面观察时设置为条纹图案并且平行于第一方向对齐的多个第一凹槽；以及形成于所述第一条纹图案凹凸顶上的第二条纹图案凹凸，所述第二条纹图案凹凸包括从上面观察时设置为条纹图案并且平行于第二方向对齐的多个第二凹槽，所述第二方向与所述第一方向不同。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一方向与所述第二方向正交。

4.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述凹凸具有如下结构，所述结构包括：形成于所述蓝宝石衬底的层状结构侧上的表面上的条纹图案凹凸，所述条纹图案凹凸包括从上面观察时设置为条纹图案并且平行于特定方向对齐的多个凹槽；以及形成于所述条纹图案凹凸顶上的点图案凹凸，所述点图案凹凸包括从上面观察时设置为栅格图案的台面或凹陷。

5.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述凹凸具有如下结构，所述结构包括：形成于所述蓝宝石衬底的层状结构侧上的表面上的点图案凹凸，所述点图案凹凸包括从上面观察时设置为栅格图案的台面或凹陷；以及形成于所述点图案凹凸顶上的条纹图案凹凸，所述条纹图案凹凸包括从上面观察时设置为条纹图案并且平行于特定方向对齐的多个凹槽。

6.根据权利要求2或权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一条纹图案凹凸的所述第一凹槽的深度与所述第二条纹图案凹凸的所述第二凹槽的深度不同。

7.根据权利要求2或权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一条纹图案凹凸的所述第一凹槽的深度与所述第二条纹图案凹凸的所述第二凹槽的深度相同。

8.根据权利要求4或权利要求5所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述条纹图案凹凸的所述凹槽的深度与所述点图案凹凸的台面的高度或所述凹陷的深度不同。

9.根据权利要求4或权利要求5所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述条纹图案凹凸的所述凹槽的深度与所述点图案凹凸的台面的高度或所述凹陷的深度相同。