[发明专利]一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法有效
| 申请号： | 201110370968.X | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102373433A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王泽松;王世旭;张早娣;付德君 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束，在合适的真空条件下，经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束，其能量从十几KeV降低到几十或几百eV，经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势，实现直接沉积法制备超薄碳膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用碳团簇 离子束 制备 超薄 方法 | ||
【主权项】：
一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法， 其特征在于，采用装置由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成，离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，与真空系统连接，离子源产生团簇碳负离子束，经减速场在沉积靶室的基体上扫描形成超薄碳膜。
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