[发明专利]用于制造半导体晶体管结构的方法有效
| 申请号： | 201110367798.X | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103050406A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;M.胡茨勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供一种用于制造半导体晶体管结构的方法。该方法包括提供具有水平主表面(15)的半导体本体（40）。形成从水平主表面（15）延伸到半导体本体(40)中的垂直沟槽（19a）。在垂直沟槽（19a）的下面的片段中构造场氧化物（7）和场板(13a)。用HDP氧化物（8）填充垂直沟槽(19a)。通过等离子体刻蚀从垂直沟槽（19a）的上面的片段中除去HDP氧化物（8）。在垂直沟槽（19a）的上面的片段中构造绝缘栅电极（14,9）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体晶体管结构（100）的方法，包括：提供具有水平主表面（15）的半导体本体(40);构造从水平主表面（15）延伸到半导体本体(40)中的垂直沟槽(19a)；在垂直沟槽（19a）中构造第一介电层（7）;在垂直沟槽（19a）的第一介电层（7）上构造第一导电区域(13a)，使得第一导电区域（13a）从水平主表面（15）退回;用第二介电层（8）填充垂直沟槽(19a)，所述第二介电层（8）覆盖第一导电区域(13a)；以及从垂直沟槽（19a）的上面的片段中除去该第一介电层（7）和第二介电层（8），以便在垂直沟槽（19a）的侧壁处露出半导体本体，其中第一导电区域（13a）保持被第二介电层（8）覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
