[发明专利]外延生长氧化铝单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开的外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是氧化铝粉末液压成型的陶瓷靶，然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.5~5Pa，激光频率为3~10Hz，生长温度为450~650℃，在蓝宝石衬底上生长氧化铝单晶薄膜。本发明方法可以实现氧化铝单晶薄膜在蓝宝石衬底上的外延生长。采用本发明方法制备的氧化铝单晶薄膜具有良好的重复性和稳定性。

主权项

外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，其特征在于：采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：1）称量氧化铝粉末，然后液压成型，制得靶材； 2）将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为4.5～5.5 cm, 生长室背底真空度抽至1×10‑4～1×10‑3 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为450~750 ℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.5~5 Pa，激光频率为3~10 Hz, 激光能量为250～350 mJ，进行生长，生长后的薄膜以3～10℃/min冷却至室温。