[发明专利]外延生长氧化铝单晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110366906.1 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102400213A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍 | 申请（专利权）人： | 安徽康蓝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/20 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方峥 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 氧化铝 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，其特征在于：采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：
1）称量氧化铝粉末，然后液压成型，制得靶材；
2）将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为4.5～5.5 cm, 生长室背底真空度抽至1×10-4～1×10-3 Pa，然后加热衬底，使衬底温度为450~750 ℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.5~5 Pa，激光频率为3~10 Hz, 激光能量为250～350 mJ，进行生长，生长后的薄膜以3～10℃/min冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，其特征在于：所述的衬底是蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，其特征在于：所述氧化铝粉末的纯度为99.99%。
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