[发明专利]具有高电压结终端的高电压电阻器有效
| 申请号： | 201110366213.2 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102915997A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 苏如意;杨富智;蔡俊琳;郑志昌;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 终端 电阻器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包含第一掺杂区和第二掺杂区，第一区和第二区是相反掺杂的，并且是邻近设置的；第一隔离结构和第二隔离结构，每一个都被设置在所述衬底的上方，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构彼此间隔开，并且每一个都被设置成至少部分地位于所述第一掺杂区的上方；电阻器，被设置在所述第一隔离结构的至少一部分的上方；以及场板，被设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之一的至少一部分的上方。
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