[发明专利]具有高电压结终端的高电压电阻器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包含第一掺杂区和第二掺杂区，第一区和第二区是相反掺杂的，并且是邻近设置的；

第一隔离结构和第二隔离结构，每一个都被设置在所述衬底的上方，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构彼此间隔开，并且每一个都被设置成至少部分地位于所述第一掺杂区的上方；

电阻器，被设置在所述第一隔离结构的至少一部分的上方；以及

场板，被设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之一的至少一部分的上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电阻器和所述场板每一个都包含多晶硅材料和金属材料中之一；以及

所述第一隔离结构和所述第二隔离结构每一个都包括场效氧化物器件和沟槽隔离器件之一。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电阻器具有伸长的形状，并具有长度L；

所述电阻器的片段被电连接至所述第一掺杂区；以及

所述片段与所述电阻器的远端相距一段距离，所述距离处于约0.4*L至约0.6*L的范围内。

4.一种半导体器件，包括：

衬底，包括在其中设置的掺杂阱，所述掺杂阱和所述衬底具有相反的掺杂极性；

绝缘器件，被设置在所述掺杂阱的上方；

伸长的电阻器，被设置在所述绝缘器件的上方，所述电阻器的非远端部分连接至所述掺杂阱；以及

高电压结终端(HVJT)器件，邻近所述电阻器设置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述HVJT器件包括：

一部分所述衬底；

第一掺杂区和第二掺杂区，被设置在所述一部分所述衬底的上方，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有相反的掺杂极性；

另一绝缘器件，被设置在部分所述第一掺杂区的上方；以及

导电元件，被设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之一的至少一部分的上方。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述导电元件是晶体管栅极元件，所述晶体管栅极元件被设置在P/N结的上方，所述P/N结由所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述电阻器的所述非远端部分基本上位于所述电阻器的中点。

8.一种制造高电压半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成第一掺杂区；

在所述衬底中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区是相反掺杂的，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的界面形成P/N结；

在所述第一掺杂区上方形成第一隔离结构和第二隔离结构；

在所述第一隔离结构上方形成电阻器器件；以及

形成至少部分地位于所述第二隔离结构上方的场板，所述场板被设置在所述P/N结的上方。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

形成所述电阻器器件是以使得所述电阻器器件具有伸长的形状并包括相反的第一远端和第二远端的方式实施；以及

形成所述场板是以使得所述场板包含多晶硅材料和金属材料之一的方式实施。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

形成所述电阻器器件是以使得位于所述第一远端和所述第二远端之间的所述电阻器器件的片段电连接至所述第一掺杂区的方式实施；以及

形成所述场板是以使得所述场板电接地的方式实施。