[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法有效
| 申请号： | 201110365464.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103114335A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 碲化镉 碲锌镉 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，其包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
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