[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法有效
| 申请号： | 201110365464.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103114335A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 碲化镉 碲锌镉 单晶体 方法 | ||
1.一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，其包括：
形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；
将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及
将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述坩埚通过的方向上，所述晶体生长区域和原位退火区域之间的距离为3厘米到20厘米。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在所述坩埚通过的方向上，所述晶体生长区域和原位退火区域之间的距离为5厘米到10厘米。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过驱动装置驱动所述坩埚，使其在从所述晶体生长区域和原位退火区域通过的同时还沿其轴线旋转。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述坩埚连接于一个驱动装置，通过所述驱动装置移动坩埚来实现将坩埚从所述整体温度场中通过。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述整体温度场连接于一个驱动装置，通过所述驱动装置移动整体温度场来实现将坩埚从所述整体温度场中通过。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料包括碲化镉或碲锌镉籽晶、富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料。
8.如权利要求1所述的方法，在所述坩埚通过的方向上，所述晶体生长区域的温度逐渐上升到第一温度峰值后逐渐下降，所述原位退火区域的温度逐渐上升到第二温度峰值后逐渐下降，其中所述第一温度峰值高于碲的熔点低于碲化镉或碲锌镉的熔点，所述第二温度峰值高于所述第一温度峰值低于碲化镉或碲锌镉的熔点。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述晶体生长区域的温度是以10℃/厘米到100℃/厘米的速度逐渐上升或下降的。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述晶体生长区域的温度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐渐上升或下降的。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述原位退火区域的温度是以5℃/厘米到100℃/厘米的速度逐渐上升或下降的。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述原位退火区域的温度是以20℃/厘米到60℃/厘米的速度逐渐上升或下降的。
13.如权利要求8所述的方法，所述坩埚内装有碲化镉籽晶、富碲材料和碲化镉多晶材料，所述第一温度峰值在600℃到1092℃之间，所述第二温度峰值在700℃到1092℃之间。
14.如权利要求13所述的方法，所述第一温度峰值在600℃到900℃之间，所述第二温度峰值在850℃到1092℃之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110365464.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空气压缩机轴位移监测系统
- 下一篇：一种捕获器
