[发明专利]一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置及应用无效
| 申请号： | 201110362542.X | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102352493A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 龚岳俊;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海卓锐材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 王法男 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：通过微孔设计布局在喷淋头中构建分别用于同时输送A族气体、B族气体和冷却水三种流体的两层或三层独立空间孔道，使每一层独立空间孔道延伸至喷淋头体表面构成与外部供气源和冷却水分别连接的接口；同时，通过分别设计在A族气体输送孔道(1)和B族气体输送孔道(2)内底部设置的通达喷淋头底面(5)的微孔通道(4、4’)，构成能充分实现“流速均匀”、“组分均匀”、“温度均匀”的MOCVD喷淋出口的喷射面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 mocvd 喷淋 均匀 装置 应用 | ||
【主权项】：
一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：通过微孔设计布局在喷淋头中构建分别用于同时输送A族气体、B族气体和冷却水三种流体的两层或三层独立空间孔道，使每一层独立空间孔道延伸至喷淋头体表面构成与外部供气源和冷却水分别连接的接口；同时，通过分别设计在A族气体输送孔道(1)和B族气体输送孔道(2)内底部设置的通达喷淋头底面(5)的微孔通道(4、4’)，构成能充分实现“流速均匀”、“组分均匀”、“温度均匀”的MOCVD喷淋出口的喷射面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
