[发明专利]一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置及应用

权利要求书

1.一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：通过微孔设计布局在喷淋头中构建分别用于同时输送A族气体、B族气体和冷却水三种流体的两层或三层独立空间孔道，使每一层独立空间孔道延伸至喷淋头体表面构成与外部供气源和冷却水分别连接的接口；同时，通过分别设计在A族气体输送孔道(1)和B族气体输送孔道(2)内底部设置的通达喷淋头底面(5)的微孔通道(4、4’)，构成能充分实现“流速均匀”、“组分均匀”、“温度均匀”的MOCVD喷淋出口的喷射面。

2.如权利要求1所述的一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：所述的A族气体输送孔道(1)、B族气体输送孔道(2)呈平行、间隔状态设于喷淋头(M)的上部块体内，所述的冷却水输送孔道(3)设于喷淋头(M)下部块体内，构成水平+水平上层进气、下层过水的两层结构模式；同时，将所述的冷却水输送孔道(3)穿插设置在所述A族气体输送孔道(1)、B族气体输送孔道(2)向下延伸的每相邻两组微孔通道(4、4’)之间，实现对相邻微孔通道(4、4’)内的过流气体的温度调控。

3.如权利要求1所述的一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：所述的B族气体输送孔道(2)呈平行状态设于喷淋头(M)的上部块体，所述的冷却水输送孔道(3)设于喷淋头(M)下部块体内，所述的A族气体输送孔道(1)直接贯穿喷淋头块体上下，构成一种“垂直+水平”进气和水平进水结构模式。

4.如权利要求1所述的一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：在喷淋头(M)上部增设一带有顶部进气口(7)或水平进气口(7’)的上端盖(8)，形成上部空腔，所述的B族气体输送孔道(2)呈平行状态设于喷淋头(M)的上部块体内，所述的冷却水输送孔道(3)设于喷淋头(M)体的下部块体内，所述的A族气体输送孔道为直接贯穿喷淋头上下的微孔通道(4)，它与B族气体微孔通道相间隔设置，并与上端盖内腔相通，由此构成垂直+水平进气、下层过水的三层结构模式；同时，将所述的冷却水输送孔道(3)穿插设置在所述A族气体输送孔道(1)、B族气体输送孔道(2)向下延伸的每相邻两组微孔通道(4、4’)之间，实现对相邻微孔通道(4、4’)内的过流气体的温度调控。

5.如权利要求1或3所述的一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：所述的上端盖(8)与喷淋头(M)形成的空腔内设有一均化隔板(9)，并在均化隔板(9)以上的上端盖(8)的顶部或侧边设有进气口(N)。

6.如权利要求1所述的一种实现MOCVD喷淋均匀性的装置，其特征在于：用于金属有机物化学气相沉积技术或其它类似技术领域。