[发明专利]在高压晶体管结构的端处的栅极回拉有效
| 申请号： | 201110356266.6 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102412267A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | V·帕塔萨拉蒂;M·H·曼利 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在高压晶体管结构的端处的栅极回拉。在一个实施例中，晶体管包括设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第一横向延伸的基本线性的部分和在基本线性的部分的每一端处的圆形部分。第一和第二介电区域设置在柱的相对侧。第一和第二场板分别设置在第一和第二介电区域中。分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与柱分开，所述栅极氧化物在基本线性的部分中具有第一厚度。栅极氧化物在圆形部分处基本上更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 结构 栅极 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第一横向延伸的基本线性的部分和在跑道形布局的基本线性的部分的每一端处的圆形部分；分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电区域被柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；以及分别设置在柱的顶部处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区分开，所述栅极氧化物在跑道形布局的基本线性的部分中具有第一厚度，所述栅极氧化物在圆形部分处具有第二厚度，第二厚度足够厚而使得圆形部分处的栅极氧化物弱点被消除同时所述栅极元件与相应场板之间的适当距离被保持。
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