[发明专利]在高压晶体管结构的端处的栅极回拉

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

设置成跑道形布局的半导体材料柱，所述半导体材料柱具有沿第一横向延伸的基本线性的部分和在跑道形布局的基本线性的部分的每一端处的圆形部分；

分别设置在柱的相对侧的第一和第二介电区域，第一介电区域被柱横向包围，并且第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在第一和第二介电区域中的第一和第二场板；以及

分别设置在柱的顶部处或附近的第一和第二介电区域中的第一和第二栅极元件，所述第一和第二栅极元件通过栅极氧化物与本体区分开，所述栅极氧化物在跑道形布局的基本线性的部分中具有第一厚度，所述栅极氧化物在圆形部分处具有第二厚度，第二厚度足够厚而使得圆形部分处的栅极氧化物弱点被消除同时所述栅极元件与相应场板之间的适当距离被保持。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中第一厚度大约是

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中第二厚度大约是1μm。

4.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括：

源极区，所述本体区被设置在所述源极区下面的柱中；以及

设置在本体区下面的柱中的延伸漏极区。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述基本线性的部分沿第一横向的长度比跑道形布局的宽度大至少30倍，所述宽度在垂直于第一横向的第二横向上。

6.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括：

第一导电类型的源极区，被设置在所述柱的顶表面处或附近；和

第二导电类型的所述本体区，被设置在所述源极区下面的柱中，

其中，所述第一和第二栅极元件分别被设置在邻近所述本体区的柱的顶表面处或附近的所述第一和第二介电区域中。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中第一厚度大约是

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中第二厚度大约是1μm。

9.根据权利要求6所述的晶体管，进一步包括设置在本体区下面的柱中的延伸漏极区。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的晶体管，其中所述基本线性的部分沿第一横向的长度比跑道形布局的宽度大至少30倍，所述宽度在垂直于第一横向的第二横向上。

11.根据权利要求6-9中任一项所述的晶体管，其中第一和第二栅极元件与第一和第二场板完全绝缘。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的晶体管，其中第二厚度大于第一厚度。