[发明专利]等离子体处理装置及等离子体CVD装置

摘要

本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：被室壁的第一部分罩住的处理室，其中上部电极的电极面与下部电极的电极面对置；被所述室壁的第二部分罩住且由所述上部电极及绝缘体与所述处理室分隔的线室；在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室，其中所述第一气体扩散室连接到所述处理室；在所述分散板与所述上部电极的电极面之间的第二气体扩散室，其中所述第二气体扩散室连接到所述第一气体扩散室及在所述上部电极内的第一气体管，其中，所述上部电极内的所述第一气体管连接到第二气体管，所述第二气体管连接到处理用气体供应源，所述线室包括与惰性气体供应源连接的气体导入口，以及共轴设置的所述上部电极及所述室壁，并且所述分散板包括：中央部，该中央部与在所述上部电极内的所述第一气体管的气体导入口对置，且未设置气体孔，其中所述上部电极内的所述第一气体管的气体导入口连接到所述上部电极的电极面；以及周边部，该周边部围绕所述中央部且设置有多个气体孔。