[发明专利]等离子体处理装置及等离子体CVD装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

被室壁的第一部分罩住的处理室，其中上部电极的电极面与下部电极的电极面对置；

被所述室壁的第二部分罩住且由所述上部电极及绝缘体与所述处理室分隔的线室；

在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室，其中所述第一气体扩散室连接到所述处理室；

在所述分散板与所述上部电极的电极面之间的第二气体扩散室，其中所述第二气体扩散室连接到所述第一气体扩散室及在所述上部电极内的第一气体管，

其中，所述上部电极内的所述第一气体管连接到第二气体管，

所述第二气体管连接到处理用气体供应源，

所述线室包括与惰性气体供应源连接的气体导入口，以及共轴设置的所述上部电极及所述室壁，并且

所述分散板包括：

中央部，该中央部与在所述上部电极内的所述第一气体管的气体导入口对置，且未设置气体孔，其中所述上部电极内的所述第一气体管的气体导入口连接到所述上部电极的电极面；以及

周边部，该周边部围绕所述中央部且设置有多个气体孔。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述簇射板包括多个气体孔，并且

所述簇射板的气体孔的数量多于所述分散板的气体孔的数量。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述簇射板包括多个气体孔，并且

在所述簇射板的表面中的气体孔的总面积大于在所述分散板的表面中的气体孔的总面积。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括：

与所述上部电极连接的温度计，

其中，所述上部电极中的所述温度计的连接部分与所述上部电极内的所述第一气体管的气体导入口关于所述上部电极的电极面的中心点点对称。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述上部电极包括冷却介质的路径，该路径绕过所述上部电极内的第一气体管的气体导入口附近。

6.一种等离子体CVD装置，该等离子体CVD装置是根据权利要求1所述的等离子体处理装置。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述等离子体处理装置可连接到排气系统。

8.一种等离子体处理装置，包括：

第一电极；

所述第一电极中的路径；

与所述路径的第一端口连接的管；

所述第一电极下的第一板，其中所述第一板包括不具有孔的第一部分以及具有多个孔的第二部分，并且所述第一部分与所述路径的第二端口重叠；

在所述第一电极下的第二电极，所述第一板置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

围绕所述第一电极和所述第一板的壁，

其中，所述壁和所述第一电极共轴设置。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，还包括：

所述第一板下的第二板，该第二板包括多个孔，

其中，所述第二板的孔的数量多于所述第一板的孔的数量。

10.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，还包括：

所述第一板下的第二板，该第二板包括多个孔，

其中，所述第二板的孔的总面积大于所述第一板的孔的总面积。

11.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述第一电极包括可连接到温度计的部分，并且

该部分设置为关于所述第一电极的表面的中心点与所述第一端口点对称。

12.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，

所述第一电极包括可流过冷却介质的第二路径，并且

所述第二路径绕过所述第一端口的附近。

13.一种等离子体CVD装置，该等离子体CVD装置是根据权利要求8所述的等离子体处理装置。

14.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中所述等离子体处理装置可连接到排气系统。