[发明专利]伪开漏型输出驱动器、半导体存储器装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201110351449.9 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102467950A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙宁洙;吴台荣;裴升浚;朴光一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种伪开漏型输出驱动器、半导体存储器装置及其控制方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；输出驱动器，其具有伪开漏(POD)结构，且其以去加重模式从存储器单元阵列提供读取数据；以及控制逻辑，其响应于读取命令控制输出驱动器以激活去加重模式。控制逻辑仅在其中读取数据通过输出驱动器输出的输出时段期间激活去加重模式。 | ||
| 搜索关键词： | 伪开漏型 输出 驱动器 半导体 存储器 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列；输出驱动器，所述输出驱动器具有伪开漏(POD)结构且被配置为：以去加重模式输出从存储器单元阵列检索的读取数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：响应于所接收的读取命令来控制输出驱动器并激活去加重模式。其中，所述控制逻辑仅在输出时段期间激活所述去加重模式，在所述输出时段中由所述去加重模式下的所述输出驱动器输出所述读取数据。
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