[发明专利]低导通电阻的超高压NLDMOS器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110350818.2 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094341A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻的超高压NLDMOS器件，其两个P-TOP之间的间隙位于器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。本发明还公开了上述器件的制备方法。该超高压NLDMOS器件通过将两个P-TOP的间隙位置放置在靠近源端的P阱与LOCOS边界之间的区域，增大了漏极到源极的双通道的长度，从而增大了驱动电流，并大幅降低了导通电阻Rsp。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 超高压 nldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
低导通电阻的超高压NLDMOS器件，包含有两个P‑TOP，其特征在于，两个P‑TOP之间的间隙位于所述器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。
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