[发明专利]低导通电阻的超高压NLDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.低导通电阻的超高压NLDMOS器件，包含有两个P-TOP，其特征在于，两个P-TOP之间的间隙位于所述器件源端的P阱与场氧化层边界之间的区域。

2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述两个P-TOP的边界分别置于所述场氧化层边界的两边。

3.权利要求1所述的超高压NLDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在P型衬底上注入磷；

2)高温推进形成深N阱；

3)热生长形成场氧化层；

4)硼注入，在源端形成P阱；

5)硼注入，形成P-TOP；

6)生长栅极氧化层，然后淀积多晶硅；通过刻蚀定义出多晶硅栅和多晶硅场板的位置，再淀积二氧化硅并刻蚀，形成有侧墙的多晶硅栅及多晶硅场板；

7)用多晶硅栅和场氧化层作为硬质掩模，在器件区注入磷或砷，形成源、漏的N+；

8)注入硼，形成P阱引出所需的P+。

4.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤1)中，磷注入的能量为100keV～300keV，剂量为10¹¹～10¹⁴cm^-2。

5.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤2)中，形成深N阱的温度为1000℃～1200℃，时间为100分钟～500分钟。

6.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述场氧化层的厚度为

7.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述硼注入的能量为0keV～2000keV，剂量为10¹¹～10¹⁵cm^-2。

8.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤5)中，所述硼注入的能量为100keV～2000keV，剂量为10¹¹～10¹⁵cm^-2。

9.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤7)中，所述磷或砷注入的能量为0keV～200keV，剂量为10¹³～10¹⁶cm^-2。

10.根据权利要求3所示的制备方法，其特征在于，步骤8)中，所述硼注入的能量为0keV～200keV，剂量为10¹³～10¹⁶cm^-2。