[发明专利]用于在集成电路中形成鳍的器件和方法有效
| 申请号： | 201110350727.9 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102479809A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王建勋;张智胜;林以唐;谢铭峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体FinFET器件，包括：在第一方向上形成的多个栅极线，以及两种类型的鳍结构。第一类型的鳍结构在第二方向上形成，并且第二类型的鳍结构垂直于第一类型的鳍结构。接触孔连接到一个或者多个第二类型的鳍结构。本发明还公开了一种用于在集成电路中形成鳍的器件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 形成 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体FinFET器件，包括：多个栅极线，在第一方向上形成；第一类型的鳍结构，在第二方向上形成；第二类型的鳍结构，垂直于所述第一类型的鳍结构；以及接触孔，连接到一个或者多个所述第二类型的鳍结构。
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