[发明专利]用于在集成电路中形成鳍的器件和方法

权利要求书

1.一种半导体FinFET器件，包括：

多个栅极线，在第一方向上形成；

第一类型的鳍结构，在第二方向上形成；

第二类型的鳍结构，垂直于所述第一类型的鳍结构；以及

接触孔，连接到一个或者多个所述第二类型的鳍结构。

2.根据权利要求1所述的半导体FinFET器件，其中，所述第一类型的鳍结构由结合隔离件工艺形成；

所述第二类型的鳍结构由结合隔离件工艺形成，

其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

3.根据权利要求1所述的半导体FinFET器件，其中，所述第一类型的鳍结构的横向宽度在从5nm到180nm的范围内；以及

所述第二类型的鳍结构的横向宽度在从5nm到180nm的范围内。

4.一种半导体FinFET器件，包括：

多个栅极线；

多个第一类型的第一鳍结构，与所述栅极线中的至少一个相交叉；

第二类型的第二鳍结构，作为突出部件与所述第一类型的第一鳍结构中的一个相偏离并与其相连接；以及

接触孔，连接到所述第二鳍结构的所述突出部件。

5.根据权利要求4所述的半导体FinFET器件，其中，所述第一鳍结构由结合隔离件工艺形成；

所述第二鳍结构由结合隔离件工艺形成，

其中，所述第二鳍结构的所述突出部件的横向宽度在从5nm到180nm的范围内。

6.一种半导体FinFET器件，包括：

第一组栅极线，在第一方向上形成；

第二组栅极线，在第二方向上形成，其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；

第一类型的第一鳍结构，在所述第二方向上与所述第一组栅极线相交叉；

第二类型的第二鳍结构，在所述第一方向上与所述第二组栅极线相交叉；以及

第一接触孔，连接到一个或者多个所述第一鳍结构或者所述第二鳍结构。

7.根据权利要求6所述的半导体FinFET器件，其中，所述第一鳍结构由结合隔离件工艺形成；以及

所述第二鳍结构由结合隔离件工艺形成。

8.根据权利要求6所述的半导体FinFET器件，其中，所述第一鳍结构的横向宽度在5nm到180nm的范围内；以及

所述第二鳍结构的横向宽度在5nm到180nm的范围内。

9.根据权利要求6所述的半导体FinFET器件，进一步包括：第三类型的第三鳍结构，其中，所述第三鳍结构作为突出部件与所述第一鳍结构之一相偏离并与其相连接，并且第二接触孔连接到所述第三鳍结构的所述突出部件。

10.根据权利要求6所述的半导体FinFET器件，进一步包括：第四类型的第四鳍结构，其中，所述第四鳍结构作为突出部件与所述第二鳍结构之一相偏离并与其相连接，并且，第四接触孔连接到所述第四鳍结构的所述突出部件。