[发明专利]改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法有效
| 申请号： | 201110350556.X | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094088A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，包括：1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；4)去除有机抗反射层；5)形成金属硅化物。本发明能在栅极表面形成比较均匀的金属硅化物，因而能改善后续接触孔连接的阻值的稳定性，为提高器件的性能奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 rf ldmos 栅极 金属硅 形成 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，其特征在于，包括：(1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；(2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；(3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；(4)去除有机抗反射层；(5)形成金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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