[发明专利]改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法有效
| 申请号： | 201110350556.X | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094088A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 rf ldmos 栅极 金属硅 形成 工艺 方法 | ||
1.一种改善RF LDMOS栅极金属硅化物形成的工艺方法，其特征在于，包括：
(1)在栅极形成之后，在晶圆表面沉积一层氧化膜，然后再涂一层有机抗反射层；
(2)进行有机抗反射层和氧化膜回刻，并控制有机抗反射层的刻蚀时间，使栅极上的有机抗反射层和氧化膜刻蚀干净；
(3)进行栅极回刻，使栅极的高度低于侧墙的高度；
(4)去除有机抗反射层；
(5)形成金属硅化物。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，先在炉管沉积多晶硅，然后在光刻机台进行涂胶，曝光，显影，最后在刻蚀机台进行多晶硅刻蚀，形成栅极；其中，栅极为大于3000A的多晶栅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，使用化学气相沉积的方式沉积氧化膜；
氧化膜为没有任何掺杂的纯氧化膜；氧化膜的厚度为100～5000埃米。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，有机抗反射层是能采用涂布方式形成于晶片表面的有机抗反射层，该有机抗反射层的厚度为：500～5000埃米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，使用15sccm流量的四氟甲烷和15sccm流量的氧气混合气体的等离子体，回刻有机抗反射层和氧化膜。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，有机抗反射层的刻蚀时间为5～50秒，氧化膜的刻蚀时间为5～100秒。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，栅极回刻的方法，采用多晶硅/氧化膜刻蚀选择比大于100的工艺。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，栅极回刻的损失为氧化膜厚度的30％～100％。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，通过在光刻胶灰化机台，采用氧气等离子体，去除有机抗反射层。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，将金属钛溅射到晶片表面，采用钛与硅在600～1050℃下，反应形成500～1500埃米的钛金属硅化物。
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