[发明专利]一种栅极氧化层测试结构有效
| 申请号： | 201110348660.5 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094253A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张瑜劼;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种栅极氧化层的测试结构。该栅极氧化层测试结构包括多个测试单元，所述每个测试单元包括有源区、氧化层和多晶硅层，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，通过设置具有“T”结构的第一有源区，和第二有源区相连，增加了有效的有源区边界，进一步地，增加第一有源区的个数，同时使这些第一有源区保持并联结构时，可以使得有效的有源区边界成倍数增长，从而实现了在不增加测试面积及测试样品数量的情况下，使测试结果具有较高的可信度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 氧化 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种栅极氧化层测试结构，包括多个测试单元，所述每个测试单元包括有源区、氧化层和多晶硅层，其特征在于：所述有源区包括：至少一个第一有源区，该第一有源区为“T”结构，其中，该“T”结构水平部分的两端部为漏、源区，剩余部分为栅区；第二有源区，与上述“T”字结构的垂直部分相连，该第二有源区为衬底；所述多晶硅层位于有源区之上，该多晶硅层为“凸”结构，其中该“凸”结构的突出部分覆盖在栅区上，该“凸”结构的底座部分为中空结构，包围并露出上述第二有源区；所述氧化层位于有源区和多晶硅层之间，其中多晶硅层与栅区水平部分交叠的上下边界以及与栅区垂直部分交叠的左右边界共同组成该氧化层的有源区边界。
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