[发明专利]一种栅极氧化层测试结构

权利要求书

1.一种栅极氧化层测试结构，包括多个测试单元，所述每个测试单元包括有源区、氧化层和多晶硅层，其特征在于：

所述有源区包括：

至少一个第一有源区，该第一有源区为“T”结构，其中，该“T”结构水平部分的两端部为漏、源区，剩余部分为栅区；

第二有源区，与上述“T”字结构的垂直部分相连，该第二有源区为衬底；

所述多晶硅层位于有源区之上，该多晶硅层为“凸”结构，其中该“凸”结构的突出部分覆盖在栅区上，该“凸”结构的底座部分为中空结构，包围并露出上述第二有源区；

所述氧化层位于有源区和多晶硅层之间，其中多晶硅层与栅区水平部分交叠的上下边界以及与栅区垂直部分交叠的左右边界共同组成该氧化层的有源区边界。

2.如权利要求1所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述有源区进一步包括多个第一有源区，该多个第一有源区分别通过“T”结构的垂直部分连接于第二有源区上。

3.如权利要求2所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述多晶硅层为具有多个突出部分的“凸”结构，该突出部分的数量对应上述第一有源区的数量，其中，该多个突出部分分别覆盖于对应的第一有源区的栅区部分，该底座部分包围并露出第二有源区。

4.如权利要求1所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述有源区进一步包括多个第一有源区，该多个第一有源区的水平部分通过垂直部分形成并联结构，该并联结构的尾端连接在第二有源区上。

5.如权利要求4所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述多晶硅层的突出部分的长度大于上述并联结构的长度，使得该突出部分覆盖该多个第一有源区的栅极区。

6.如权利要求1所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述多晶硅层与栅区水平部分交叠的左右边界以及与栅区垂直部分交叠的水平边界共同组成该氧化层的多晶硅区边界，其中该氧化层的有源区边界与该氧化层的多晶硅区边界的比例大于18∶1。

7.如权利要求1所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述多晶硅层与栅区水平部分交叠的左右边界以及与栅区垂直部分交叠的水平边界共同组成该氧化层的多晶硅区边界，其中该氧化层的有源区边界与该氧化层的多晶硅区边界的比例为19∶1。

8.如权利要求1所述的栅极氧化层测试结构，其特征在于：所述第一有源区的水平部分与第二有源区之间设有浅沟槽隔离区。