[发明专利]一种NiO纳米线的制备方法及磁场热处理装置有效
| 申请号： | 201110344055.0 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102502893A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王剑;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 高为华 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NiO纳米线的制备方法。本发明还涉及一种热处理装置，特别涉及一种磁场热处理装置，具体涉及一种用于所述NiO纳米线的制备方法的热处理装置。一种NiO纳米线的制备方法，该方法是将Ni纳米线置于磁场环境中进行退火处理。一种磁场热处理装置，包括：磁场产生设备和恒温控温设备。本发明解决了现有的NiO纳米线制备方法工艺复杂、成本高昂、无法量化生产、环境污染严重的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nio 纳米 制备 方法 磁场 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种NiO纳米线的制备方法，其特征在于，将Ni纳米线置于磁场环境中进行热处理，以得到所述NiO纳米线。
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