[发明专利]一种NiO纳米线的制备方法及磁场热处理装置有效
| 申请号： | 201110344055.0 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102502893A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;王剑;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 高为华 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nio 纳米 制备 方法 磁场 热处理 装置 | ||
1.一种NiO纳米线的制备方法，其特征在于，将Ni纳米线置于磁场环境中进行热处理，以得到所述NiO纳米线。
2.如权利要求1所述的NiO纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)将Ni纳米线置于磁场环境中；
b)在磁场环境下进行升温；
c)在磁场环境下进行保温；
d)在磁场环境下进行自然冷却，直至室温，即得所述NiO纳米线。
3.如权利要求2所述的NiO纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤b)中，所述磁场环境的磁场强度为0.05T-0.52T，所述升温的升温速率为0.5℃/min-50℃/min，所述升温是升温至物料温度为400℃-1500℃。
4.如权利要求2所述的NiO纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤c)中，所述磁场环境的磁场强度为0.05T-0.52T，所述保温是保持物料温度为400℃-1500℃，所述保温的保温时间为1.5h-15h。
5.如权利要求2所述的NiO纳米线的制备方法，其特征在于：在所述步骤d)中，所述磁场环境的磁场强度为0.05T-0.52T。
6.如权利要求2所述的NiO纳米线的制备方法，其特征在于：所述NiO纳米线的制备方法在常压下、空气中进行。
7.一种用于权利要求1-6之一所述的NiO纳米线的制备方法的磁场热处理装置，其特征在于，包括：
物料台，所述物料台用于容置物料；
磁场产生设备，所述磁场产生设备用于产生和调控所述制备方法所需要的磁场；
恒温控温设备，所述恒温控温设备用于调控所述制备方法所需要的温度。
8.如权利要求7所述的磁场热处理装置，其特征在于，所述磁场产生设备包括：
磁场产生电源；
两个磁极，所述两个磁极相对设置，所述两个磁极与所述磁场产生电源通过导线连接，所述物料台设置在所述两个磁极之间。
9.如权利要求7所述的磁场热处理装置，其特征在于，所述恒温控制设备包括：
恒温控制电源；
加热板，所述加热板围出一个腔室，所述物料台设置在所述腔室中，所述加热板与所述恒温控制电源通过导线连接；
热电偶，所述热电偶设置在所述腔室中，所述热电偶与所述恒温控制电源通过导线连接。
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