[发明专利]一种高纯度氮化硅粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201110341838.3 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102502536A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汪思保;林永兴 | 申请（专利权）人： | 合肥摩凯新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度氮化硅粉体的制备方法，其包括步骤：（1）以氮气为载气，将硅烷和氨气从底部通入内壁有氮化硅衬底的垂直管式反应器，保持反应温度在450~900℃；（2）将上述混合物质通入液态氨中迅速冷却，蒸发除去液氨，将得到的粉体再次混入液态氨中配制悬浊液，以氮气对悬浊液进行雾化后通入U型管式反应器，温度保持在1200~1600℃；（3）冷却出口所得尘气，过滤收集即得高纯氮化硅粉体。本发明通过采用急快速冷却氮化硅的方式，溶解去除了单质硅，避免了单质硅微粒的生成，从而有效提高了产品氮化硅的纯度，同时本发明的方法实施操作简便，过程反应均匀，更进一步提升了产品的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 氮化 硅粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度氮化硅粉体的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：（1）以氮气为载气，将硅烷和氨气从底部通入内壁有氮化硅衬底的垂直管式反应器，反应器腔体长度与内径的比为2：1~10：1，保持反应温度在450~900℃，所述载气流速为0.3~2.5 L/min，硅烷流速为载气的10~50%，硅烷与氨气的流速比例控制在1：3~1：10；（2）将上述从反应器顶部出来的含反应产物的混合物质通入液态氨中迅速冷却，2h~10h后，蒸发除去液氨，然后将得到的粉体再次混入液态氨中配制浓度1%wt~35%wt的悬浊液，以氮气对悬浊液进行雾化后，将其通入U型管式反应器中，温度保持在1200~1600℃；所述悬浊液的流量控制在1 ml/min ~ 500 ml/min；（3）冷却出口所得尘气，过滤收集，即得高纯氮化硅粉体。
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