[发明专利]一种高纯度氮化硅粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201110341838.3 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102502536A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汪思保;林永兴 | 申请（专利权）人： | 合肥摩凯新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 氮化 硅粉体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度氮化硅粉体的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：
（1）以氮气为载气，将硅烷和氨气从底部通入内壁有氮化硅衬底的垂直管式反应器，反应器腔体长度与内径的比为2：1~10：1，保持反应温度在450~900℃，所述载气流速为0.3~2.5 L/min，硅烷流速为载气的10~50%，硅烷与氨气的流速比例控制在1：3~1：10；
（2）将上述从反应器顶部出来的含反应产物的混合物质通入液态氨中迅速冷却，2h~10h后，蒸发除去液氨，然后将得到的粉体再次混入液态氨中配制浓度1%wt~35%wt的悬浊液，以氮气对悬浊液进行雾化后，将其通入U型管式反应器中，温度保持在1200~1600℃；所述悬浊液的流量控制在1 ml/min ~ 500 ml/min；
（3）冷却出口所得尘气，过滤收集，即得高纯氮化硅粉体。
2.如权利要求1所述的高纯度氮化硅粉体的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述硅烷、氨气、氮气的纯度均在99wt%以上。
3.如权利要求1所述的高纯度氮化硅粉体的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述氮气对悬浊液进行雾化时，气体与液体的流量比为1:0.01~1:0.3。
4.如权利要求1所述的高纯度氮化硅粉体的制备方法，其特征在于：步骤（3）中采用袋式过滤器进行收集粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥摩凯新材料科技有限公司，未经合肥摩凯新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110341838.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
