[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法

摘要

本发明一种形成浅沟槽隔离的方法，其中包括：有效的通过对原器件中密集沟槽与疏松沟槽的分步填充，并使在填充密集沟槽时的溅射与淀积的比例大于在填充疏松沟槽时的溅射与淀积比例。通过发明一种形成浅沟槽隔离的方法，有效扩大了高密度等离子体化学气相沉积的工艺，达到填充无空洞与等离子体无损伤的有益效果。

主权项

一种形成浅沟槽隔离的方法，包括：首先铺设一层硅基底，在所述硅基底上淀积垫氧化硅层，在所述垫氧化硅层的上表面淀积垫氮化硅层，形成所要被加工的原器件，其特征在于，还包括：对所述原器件进行密集沟槽与疏松沟槽的填充，其填充密集沟槽与疏松沟槽分二个工艺步骤完成，其工步如下：第一工步包括在对原器件的上表面进行覆盖一层光阻，并在所要填充密集沟槽的区域，对原器件进行密集沟槽的刻蚀，使所刻蚀的密集沟槽穿过垫氮化硅层与垫氧化硅层，在硅基底中形成密集沟槽，再将所述垫氮化硅层上所加工过的光阻完全移除，之后在所述垫氮化硅层上淀积一层氧化硅，并使用氧化硅对密集沟槽中的空间完全填充，再将位于垫氮化硅层以上的氧化硅完全去除；之后进行第二个工步，之前首先进行对垫氮化硅层上淀积一层新的光阻，并在所要填充疏松沟槽的区域，对原器件进行疏松沟槽的刻蚀，使所刻蚀疏松沟槽穿过垫氮化硅层与垫氧化硅层，并在硅基底中形成疏松沟槽，之后在所述垫氮化硅层淀积一层氧化硅，并使氧化硅对疏松沟槽中的空间完全填充，再将位于垫氮化硅层以上的氧化硅完全去除。