[发明专利]用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构

摘要

本发明公开了一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区，两个N型有源区通过一P型有源区隔离；各P型阱之间设有栅极；所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。本发明通过对现有的沟槽型绝缘栅场效应管的结构单元从电路上进行优化组合，增加栅极电容耦合电路，能够达到降低场效应管开启电压，提升器件泄放电流能力的目的。

主权项

一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一P型有源区隔离；N型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各P型阱之间设有栅极；其特征在于：所述每个P型阱内的两个N型有源区相互短接，并与该P型阱内的P型有源区相连；各栅极均相互短接；其中一个P型阱内的N型有源区与栅极相连，并经过一电阻与接地端相连；其它的P型阱内的N型有源区直接与接地端相连。